（原标题：台积电，再度碾压对手）

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台积电在今年第一季全球晶圆代工产业的市占率以61.7%％、高居龙头地位，排名第二的三星电子市占率仅有13％，而英特尔市占率排名则落后于台积电与三星电子。尤其是台积电先进制程在全球有高达92％的市占率，明显受惠于AI的成长。英特尔为了要弯道超车，已经向阿斯麦(ASML)购买最新高数值孔径极紫外光(High-NA EUV)机台，计划先在1.8nm试用这项设备，然后在1.4nm正式导入。台积电董事长魏哲家上半年多次前往欧洲甚至跑到荷兰ASML总部讨论半导体设备事宜，提前采购High-NA EUV机台，为台积电接下来的2nm制程提前布局。

据消息来源指出，台积电第一台High-NA EUV机台，最快九月底就进口到台湾。

ASML是全世界最大的半导体曝光机机台制造商，尤其在EUV更是别无分号的100％市占率。EUV机台每台售价超过一亿欧元，台积电、三星电子和英特尔是全球EUV机台的主要客户。

EUV是阿斯麦独家技术

EUV的关键技术是ASML独家研发出来，该机台能透过波长超小的光(13.5nm)来列印微芯片，让工程师在纳米、甚至埃米等级制程，可以在晶圆上做出电路图。然后将电路图刻在石英板片上制成光罩，光束从光罩上方照下来，经由透镜形成的光学系统照射到晶圆，再进行显影、蚀刻和清洗程序，将电路图从光罩转移到晶圆上。上述程序中的光束，就是ASML EUV的独家技术。透过上述晶圆制程的程序，能做出更小且效能更强的芯片。

ASML前总裁Martin van den Brink指出，High-NA EUV机台的晶圆生产数度每小时达400到500片，比标准EUV的200片快2.25倍。除了High-NA EUV外，他们已在开发Hyper-NA EUV，持续提高半导体设备制程的效率。High-NA EUV机台的数值孔径从0.33增加到0.55甚至更高，具高解析度图像化能力，提高机台的精确度和更清晰的成像，并大幅提高晶圆的生产速度。High-NA EUV具有上述优点，谁能掌握晶圆代工的精确度和更高生产数量，就能有机会压过竞争对手。

英特尔这几年的营运只能以惨淡来形容，甚至在AI时代逐渐被边缘化。即便英特尔营运不佳并可能影响到今年的资本支出，却在昂贵的设备上砸钱不手软。根据外电报导，ASML现有生产的High-NA EUV机台全都出口到英特尔的晶圆厂，High-NA EUV机台每台售价3.8亿美元，比EUV机台贵一倍以上。今年三月英特尔拿到美国政府芯片法案的85亿美元补助和110亿美元的联邦贷款，这让英特尔更有底气砸钱买设备，希望能在1.8纳米以下制程取得领先地位。

英特尔砸钱买设备

为此，原本台积电打算在2026年下半年的1.6纳米再导入High-NA EUV机台的设备有可能提前，避免遭到英特尔的弯道超车。英特尔现在在高阶晶圆代工进度上，持续落后给台积电和三星电子。英特尔从10纳米、7纳米以后就落后给竞争对手，主要原因在于高阶制程良率太低，形成成本太高。去年底季辛格对外表示，他们的18A制程已经有三个客户；二月间英特尔宣布推出AI等级的晶圆代工，将采用14A制程、代工高级组装和系统测试(ASAT)功能等技术。

按照英特尔的计划，14A制程计划在2026年量产，14A-E制程会在2027年推出，这些消息一度让市场感到兴奋。由此推测，英特尔采购的High-NA EUV机台已经在产线上测试，从18A、14A以及以后的制程可能都以High-NA EUV机台为主。

不过，先前英特尔公布今年前两季的财报均低于市场预期，第二季甚至亏损，造成财报公布后股价重挫，最新市值缩水到只剩下八百多亿美元，还输给印度软体厂商Infosys的950亿美元，完全不见昔日半导体龙头的景象。英特尔这两年在数据中心的CPU市场遭到Nvidia和超微的强力抢占，让原本的金鸡母变调，而该公司高阶晶圆代工的良率不高无法挹注获利给公司是最大问题，公司CEO季辛格期待英特尔能有机会在高阶晶圆代工制程扳回一城，短期内可能很难如愿。日前传出博通给英特尔18A制程代工后的产品没有通过测试，让英特尔踢到铁板。

即便如此，季辛格依然有信心地表示，18A制程会让英特尔在二九年的营运出现有意义的成长。英特尔唯一的优势在于是美国纯种企业，虽然美国政府也招揽台积电和三星电子到美国设厂，作为美国唯一纯种高阶晶圆代工业者，专家相信英特尔未来仍有可能持续获得来自美国政府资源的挹注。高阶半导体已成为地缘政治重要的一环，美国政府不可能放任英特尔市占率不断下滑，会想办法拉抬英特尔的竞争力。

台积电在先进制程领先对手

三星电子的3nm制程是采用全栅极(GAA)架构，计划今年量产第二代3纳米、明年量产2纳米。不过，三星3纳米良率仍不佳，去年刚试产时的良率仅10%到20％之间，之后有翻跳上来，但还是只有50%到60％。第二代3纳米的良率则低于50％，因此决定撤出美国德州泰勒厂人员，造成近期三星电子股价不断下跌。相形之下，台积电在先进制程仍有优势，三纳米的产能利用率预计到年底前会达到八成，并拿下苹果、高通、联发科、Nvidia的3纳米订单，连英特尔都是台积电3纳米客户，超微也正在与台积电谈3纳米订单问题。

从晶体管的密度来看，台积电在三纳米N3或强化版N3E，都高于英特尔18A制程，英特尔没公布18A制程的能耗数据，无从比较两者的能耗表现。不过，台积电3纳米和三星电子在晶体管密度、性能和能耗，三星电子的GAA架构都落后台积电，台积电的晶体管密度是三星的1.5倍以上，在先进制程的客户数方面，台积电也是领先三星电子。

台积电目前虽然在先进制程领先竞争对手三星电子和英特尔，固然有利于台积电布局2纳米以下的实力，却也不能忽略竞争对手的底气。最近可能针对提前使用High-NA EUV机台作准备，可能是发现该机台的优点以及英特尔使用该机台后，的确提高制程良率和品质，都可能是未来台积电在制程上提前用更新进设备的理由。先进晶圆代工竞争压力大，为了要确保不被竞争对手追上来，只能不断提高先进制程良率并采用更新设备，以确保领先地位。

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